IRFR3504TRPBF【PDF 2/11 页】MOSFET N-CH 40V 30A DPAK

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IRFR/U3504PbF

Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min.

Typ.

Max. Units

Conditions

V (BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

40

–––

––– V V GS = 0V, I D = 250μA

? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

0.041

––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA

R DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

–––

7.8

9.2 m ?

V GS = 10V, I D = 30A ?

μA

200 V GS = 20V

––– R G = 6.8 ?

V GS(th)

g fs

I DSS

I GSS

Q g

Q gs

Q gd

t d(on)

t r

t d(off)

t f

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

Drain-to-Source Leakage Current

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

Turn-Off Delay Time

Fall Time

2.0

40

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

48

12

13

11

53

36

22

4.0 V V DS = 10V, I D = 250μA

––– S V DS = 10V, I D = 30A

20 V DS = 40V, V GS = 0V

250 V DS = 40V, V GS = 0V, T J = 125°C

nA

-200 V GS = -20V

71 I D = 30A

18 nC V DS = 32V

20 V GS = 10V ?

––– V DD = 20V

––– I D = 30A

ns

––– V GS = 10V ?

L D

Internal Drain Inductance

–––

4.5

–––

Between lead,

D

nH 6mm (0.25in.)

L S

Internal Source Inductance

–––

7.5

–––

from package

G

and center of die contact

S

C iss

C oss

C rss

C oss

C oss

C oss eff.

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Output Capacitance

Output Capacitance

Effective Output Capacitance ?

–––

–––

–––

–––

–––

–––

2150

580

46

2830

510

870

––– V GS = 0V

––– V DS = 25V

––– pF ? = 1.0MHz, See Fig. 5

––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz

––– V GS = 0V, V DS = 32V, ? = 1.0MHz

––– V GS = 0V, V DS = 0V to 32V

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I S

I SM

Continuous Source Current

(Body Diode)

Pulsed Source Current

(Body Diode) ?

––– –––

––– –––

87

350

A

MOSFET symbol

showing the

integral reverse

p-n junction diode.

G

D

S

V SD

Diode Forward Voltage

––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 30A, V GS = 0V

?

t rr

Q rr

t on

2

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

––– 53 80 ns T J = 25°C, I F = 30A, V DD = 20V

––– 86 130 nC di/dt = 100A/μs ?

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )

www.irf.com

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